特許
J-GLOBAL ID:200903028700753449
帯電制御装置及び帯電制御装置を備えた計測装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
井上 学
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-298311
公開番号(公開出願番号):特開2006-234789
出願日: 2005年10月13日
公開日(公表日): 2006年09月07日
要約:
【課題】カーボンナノチューブ電子源のエミッション変動や、エミッション特性の個体差による試料表面の帯電不均一を解消する。帯電制御の処理中に試料表面の帯電をリアルタイムで計測する。【解決手段】電子照射密度の不均一に起因した帯電不均一を解消する手段として、照射する電子と試料とを相対的に移動させ、電子照射密度の平均化を行う。また、試料表面の帯電をリアルタイムでモニタする手段として、試料に流れ込む吸収電流や試料より放出される2次電子及び反射電子の数を計測する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
被検査試料を保持する試料台と、
該試料台に保持される試料に対して一次電子線を照射し、発生する二次電子に起因する信号を検出するSEM筐体と、
該SEM筐体を制御するSEM制御部と、
前記試料の帯電状態を制御する帯電制御筐体と、
前記SEM筐体で検出された信号を処理して前記試料を検査する画像形成部とを有し、
前記SEM筐体は、前記一次電子線を発生する第1の電子源を備え、
前記帯電制御筐体は、該第1の電子源とは別の第2の電子源と、前記試料の帯電状態を観測する手段を備えたことを特徴とする試料検査装置。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (41件):
2G001AA03
, 2G001AA10
, 2G001AA20
, 2G001BA07
, 2G001BA15
, 2G001BA30
, 2G001CA03
, 2G001DA06
, 2G001FA01
, 2G001FA06
, 2G001GA03
, 2G001GA04
, 2G001GA06
, 2G001GA09
, 2G001GA11
, 2G001HA01
, 2G001HA09
, 2G001HA13
, 2G001JA01
, 2G001JA03
, 2G001JA07
, 2G001JA11
, 2G001JA13
, 2G001JA16
, 2G001KA03
, 2G001LA11
, 2G001MA05
, 2G001PA01
, 2G001PA07
, 2G001PA11
, 2G001QA01
, 2G001QA02
, 2G001RA10
, 2G001RA20
, 2G001SA01
, 4M106AA01
, 4M106BA02
, 4M106CA39
, 4M106DB05
, 4M106DB18
, 4M106DB30
引用特許: