特許
J-GLOBAL ID：200903028779213177
プロセスモニタ方法及びプロセス装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-107689
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307604
出願日： 1998年04月17日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】【課題】プラズマCVD装置内に搭載された被処理基体上の薄膜の膜厚分布を測定する。【解決手段】光源11から照射された白色光がハーフミラー12,レンズ13を介して、ウェハ10上のある広さを持った測定領域に照射されている。測定領域からの反射光がレンズ13及びハーフミラー12を介して分光器14に入射している。分光器14を通過した反射光は、2次元CCD15に入射している。2次元CCD15がデータ処理部16に接続されている。
請求項（抜粋）：
膜厚変化が生じる処理を行うプロセス装置内に格納された被処理基体上の薄膜の膜厚を測定するプロセスモニタ方法であって、前記被処理基体の所定領域に光を照射し、波長の異なる複数の所定波長に対応する該基体の2次元画像をそれぞれ取得するステップと、前記複数の所定波長に対応した複数の2次元画像から前記薄膜の膜厚分布を測定するステップとを含むことを特徴とするプロセスモニタ方法。
IPC (6件)：
H01L 21/66
, G01B 11/06
, G01J 3/28
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
, H01L 21/304 622
H01L 21/66 P
, G01B 11/06 H
, G01J 3/28
, H01L 21/205
, H01L 21/304 622 S
, H01L 21/302 E
