半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-275371
公開番号（公開出願番号）：特開2008-098239
出願日： 2006年10月06日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：

【課題】半導体基板上にゲート絶縁膜およびゲート電極層を形成した後、溝を形成し当該溝内に絶縁膜を埋込んで素子分離するための製造方法において、半導体装置内の各素子の所望の特性を保持しつつ溝内に生成された複数層の反応生成物を除去することを可能とする。【解決手段】シリコン酸化膜13をマスクとしてシリコン窒化膜12、ゲート絶縁膜3、シリコン基板2の上部に素子分離溝10を形成する。素子分離溝10の内面10aに沿って複数層からなる反応生成物15が残留するが、この反応生成物15を希釈したフッ酸で処理した後、フッ酸蒸気によって処理することで除去する。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極層を形成する工程と、前記ゲート電極層、ゲート絶縁膜、半導体基板に溝を形成する工程と、前記溝内を希釈したフッ酸によって処理する工程と、前記溝内をフッ酸蒸気によって処理する工程と、前記溝内に素子分離絶縁膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/76 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

H01L21/76 L , H01L27/10 434 , H01L29/78 371

Fターム (42件)：

5F032AA34 , 5F032AA45 , 5F032AA49 , 5F032AA50 , 5F032AA67 , 5F032AA70 , 5F032AA77 , 5F032CA17 , 5F032DA03 , 5F032DA04 , 5F032DA09 , 5F032DA21 , 5F032DA24 , 5F032DA25 , 5F032DA33 , 5F032DA53 , 5F032DA74 , 5F032DA78 , 5F083EP02 , 5F083EP22 , 5F083EP55 , 5F083EP56 , 5F083EP76 , 5F083JA04 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083LA20 , 5F083NA06 , 5F083PR05 , 5F083PR21 , 5F083PR23 , 5F083PR33 , 5F083PR40 , 5F101BA01 , 5F101BA29 , 5F101BA36 , 5F101BB02 , 5F101BD34 , 5F101BD35 , 5F101BH02 , 5F101BH15 , 5F101BH16

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置、半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-270353 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (5件)

半導体装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-340794 出願人：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-013551 出願人：株式会社デンソー
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-357156 出願人：株式会社東芝

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