特許
J-GLOBAL ID：200903029203157596
サファイア基板の加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-181973
公開番号（公開出願番号）：特開2008-006492
出願日： 2006年06月30日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：
【課題】サファイア基板にレーザ光線を照射して個々の発光素子に分割しても発光素子の輝度低下を抑制し得るサファイア基板の加工方法を提供する。【解決手段】0.6(μJ)〜10(μJ)という小さいパルスエネルギーでフェムト秒領域の極めて短いパルス幅のパルスレーザ光線をサファイア基板11の分割予定ラインに対応する内部に集光点Pを位置付けて照射して変質領域51を形成することで、4×1013(W/cm2)〜5×1015(W/cm2)という高いピークパワー密度でもレーザ光線の照射が可能となり、サファイア基板11内部の所望の集光点Pのみに変質領域51を形成でき、窒化物半導体14やサファイア基板11に対するダメージを最小にして必要な加工を施すことができるようにした。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザ光線を照射するレーザ光線照射手段と、前記チャックテーブルと前記レーザ光線照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、前記チャックテーブルと前記レーザ光線照射手段とを相対的に割り出し送りする割り出し送り手段と、を備えるレーザ加工装置を用いて、サファイア基板上に窒化物半導体が積層されて形成された複数の発光素子の分割予定ラインの内部に変質領域を形成するサファイア基板の加工方法であって、
前記パルスレーザ光線の波長は、1(μm)〜2(μm)であり、
パルスエネルギーは、0.6(μJ)〜10(μJ)であり、
パルスエネルギー密度は、40(J/cm2)〜5(kJ/cm2)であり、
集光点におけるピークパワー密度は、4×1013(W/cm2)〜5×1015(W/cm2)である
ことを満たす加工条件で、前記サファイア基板の前記分割予定ラインに対する領域の内部に集光点を位置付けて前記パルスレーザ光線を照射して前記変質領域を形成することを特徴とするサファイア基板の加工方法。
IPC (5件)：
B23K 26/38
, H01L 21/301
, B23K 26/40
, B28D 5/00
, B23K 26/00
B23K26/38 320
, H01L21/78 B
, B23K26/40
, B28D5/00 Z
, B23K26/00 N
3C069AA01
, 3C069BA08
, 3C069BB04
, 3C069CA02
, 3C069CA05
, 3C069EA05
, 4E068AE01
, 4E068CA03
, 4E068CA04
, 4E068CA14
, 4E068CE04
, 4E068CE09
出願人引用 (3件)
審査官引用 (5件)
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