ダイを製造する方法及びシステム

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：北村修一郎 , 山▲崎▼ 徹也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-340354
公開番号（公開出願番号）：特開2004-009139
出願日： 2002年11月25日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：

【課題】ダイの製造において、より高い密度を可能にし、かつより高い歩留まりを達成する、サファイア基板のスクライビングのためのシステムおよび方法を提供する。【解決手段】固体レーザ10を使用してサファイア基板14の表面にレーザエネルギのパルスであって、560ナノメートル未満の波長、サファイアのアブレーションを誘発するのに充分なエネルギ密度、スポットサイズ、繰返し率、およびパルス持続時間を有するパルスを指し向けて、スクライブ線を形成し、その後、分離する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

サファイア基板からダイを製造する方法であって、前記サファイア基板をステージ上に装着するステップと、固体レーザを使用して前記サファイア基板の表面にレーザエネルギのパルスであって、560ナノメートル未満の波長、サファイアのアブレーションを誘発するのに充分なエネルギ密度、スポットサイズ、繰返し率、およびパルス持続時間を有するパルスを指し向けるステップと、前記パルスを前記サファイア基板にスクライブパターンで衝突させて前記サファイア基板にスクライブ線を形成するステップとを含む方法。

IPC (3件)：

B23K26/00 , B23K26/08 , H01S3/00

FI (4件)：

B23K26/00 H , B23K26/00 D , B23K26/08 D , H01S3/00 B

Fターム (19件)：

4E068AD00 , 4E068AE00 , 4E068CA01 , 4E068CA03 , 4E068CA04 , 4E068CA14 , 4E068CE04 , 4E068DA10 , 5F072AB02 , 5F072AB20 , 5F072HH05 , 5F072HH07 , 5F072KK12 , 5F072PP07 , 5F072QQ02 , 5F072RR03 , 5F072RR05 , 5F072SS06 , 5F072YY06

引用特許：

審査官引用 (14件)

レ-ザ-を用いる透明媒質の加工装置及び加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-215112 出願人：エルジー電子株式会社
非金属材料基板の加工方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-352009 出願人：日立電線株式会社
レーザ加工装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-347837 出願人：日本電気株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

素材加工に高出力UVレーザが有効熱ひずみなく高精度でかつ高効率

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