半導体メモリ試験装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：草野卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-275963
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125095
出願日： 1996年10月18日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】リフレッシュ動作を必要とするDRAMを試験する半導体メモリ試験装置であって、複数のパターン発生部を正確に動作させ、高速パターン信号を発生させる。【解決手段】共通のシーケンス制御部に対し、複数のパターン発生部を接続し、これら複数のパターン発生部を同一プログラムカウンタが出力するカウント値で制御し、リフレッシュモードに分岐すると共に、リフレッシュモードを所定回数動作し、所定回数分だけリフレッシュ動作すると再びメインルーチンに戻りパターンデータの発生を続ける。

請求項（抜粋）：

A.パターン発生用のシーケンス制御を実行するシーケンス制御部と、B.このシーケンス制御部によって制御される複数のパターン発生部と、C.この複数のパターン発生部から出力されるパターンデータを多重化し、高速パターン信号を得る高速変換部と、D.この高速変換部で変換された高速パターンデータを実波形を持つパターン信号に変換する波形整形部と、E.被試験メモリの読出出力を上記パターン発生部から出されるパターンデータと同一の速度の複数の信号に変換する低速変換部と、F.低速変換部で変換された複数の信号を上記パターン発生部から出力される期待値と論理比較する複数の論理比較部と、によって構成したことを特徴とする半導体メモリ試験装置。

IPC (3件)：

G11C 29/00 657 , G01R 31/28 , G01R 31/3183

FI (4件)：

G11C 29/00 657 Z , G01R 31/28 B , G01R 31/28 H , G01R 31/28 Q

引用特許：

出願人引用 (6件)

パターン発生器
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-220977 出願人：株式会社アドバンテスト
特開昭64-069973
メモリ試験方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-212871 出願人：富士通株式会社

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審査官引用 (3件)

パターン発生器
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-220977 出願人：株式会社アドバンテスト
特開昭64-069973
メモリ試験方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-212871 出願人：富士通株式会社

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