特許
J-GLOBAL ID:200903029264043690
基板の支持装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
金本 哲男 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-263962
公開番号(公開出願番号):特開2000-077507
出願日: 1998年09月02日
公開日(公表日): 2000年03月14日
要約:
【要約】【課題】 基板に対する静電気の帯電を容易に防止可能な基板の支持装置を提供する。【解決手段】 昇降ピン57をセラミックスからなる支持本体58と,SiCからなり,かつウェハWを直接支持する導電部59とで構成する。導電部59を通じてウェハWを導通させることができるために,ウェハWの帯電を容易に除去することができる。導電部59をスパッタリングで形成することにより,導電部の厚さが均一化し,かつ導電部59の厚さを容易に制御することができる。導電部59を流れる電流の量を容易に制御でき,ウェハWの帯電量を制御することも容易となる。その結果,ウェハに静電気が帯電することを従来よりも容易かつ確実に防止することができる。
請求項(抜粋):
基板を支持する支持部材を備えた基板の支持装置であって,前記支持部材は絶縁体からなる支持本体と,該支持本体の表面に形成された導電部とで構成されたことを特徴とする,基板の支持装置。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 21/68 N
, H01L 21/30 503 C
Fターム (17件):
5F031BB01
, 5F031CC01
, 5F031CC04
, 5F031CC12
, 5F031EE01
, 5F031EE12
, 5F031FF03
, 5F031KK03
, 5F031MM06
, 5F046CD01
, 5F046CD05
, 5F046JA04
, 5F046JA22
, 5F046KA04
, 5F046KA07
, 5F046LA01
, 5F046LA18
引用特許:
審査官引用 (7件)
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特開平4-305958
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プラズマ処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-109582
出願人:株式会社神戸製鋼所
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半導体ウェハ保持装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-071429
出願人:京セラ株式会社
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