特許
J-GLOBAL ID：200903029341611770
基板熱処理装置及びその整流機構並びに整流方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大森 純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-235231
公開番号（公開出願番号）：特開2003-045790
出願日： 2001年08月02日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：
【要約】【課題】 パージガスを処理空間内に均一に供給してプロセス性能を向上させることができる基板熱処理装置及びその整流機構並びに整流方法の提供を目的としている。【解決手段】 本発明の基板熱処理装置51は、基板Wを熱処理するためのプレート62と、プレート62を取り囲んで熱処理室Sを形成する筐体41,53と、前記筐体に設けられ、ガス供給手段からのガスを受けてこのガスを熱処理室S内に導入するためのガス導入部53aと、前記筐体内に設けられ、前記ガス導入部からのガスを熱処理室S内で均一に拡散させる拡散手段70,72とを備え、ガス導入部53aは、供給されるガスを所定量充填可能なバッファ室77と、このバッファ室77内のガスを熱処理室Sに向けて直下に流すガス噴出部79とを有している。
請求項（抜粋）：
基板に熱処理を行なう基板熱処理装置において、基板を載置して熱処理するためのプレートと、前記プレートを取り囲んで熱処理室を形成する筐体と、前記熱処理室内にパージガスを供給するためのガス供給手段と、前記熱処理室内のガスを排気するための排気手段と、前記筐体に設けられ、前記ガス供給手段からのガスを受けてこのガスを前記熱処理室内に導入するためのガス導入部と、前記筐体内に設けられ、前記ガス導入部からのガスを前記熱処理室内で均一に拡散させる拡散手段とを備え、前記ガス導入部は、供給されるガスを所定量充填可能なバッファ室と、このバッファ室内のガスを前記熱処理室に向けて直下に流すガス噴出部とを有していることを特徴とする基板熱処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/30 501
G03F 7/30 501
, H01L 21/30 567
2H096AA25
, 2H096AA27
, 2H096GA21
, 2H096GB03
, 5F046KA04
, 5F046KA10
