特許
J-GLOBAL ID：200903029417250771

シリコン酸化膜の形成方法および形成用組成物

発明者：
志保 浩司

志保 浩司 について

, 
加藤 仁史

加藤 仁史 について


出願人/特許権者：
ジェイエスアール株式会社

ジェイエスアール株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-045173
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246384
出願日： 2001年02月21日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：
【要約】【課題】 緻密なシリコン酸化膜を有するデバイスを製造するために好適に使用されるシリコン酸化膜の形成方法、およびその方法に使用するための組成物を提供すること。【解決手段】 シリコン酸化膜の形成方法は、非酸化性雰囲気下で式SinRmで表されるポリシラン化合物を含有する塗膜を形成し、次いで該塗膜を酸化処理することを特徴とする。上記方法に使用するための組成物は、式SinRmで表されるポリシラン化合物および溶剤を含有する。
請求項（抜粋）：
非酸化性雰囲気下で式SinRm(ここで、nは3以上の整数を表し、mはn〜2n+2の整数を表しそして複数個のRは、互いに独立に、水素原子、アルキル基、フェニル基またはハロゲンを表す)で表されるポリシラン化合物を含有する塗膜を形成し、次いで該塗膜を酸化処理することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316 ,  C09D183/16 ,  H01L 21/312
FI (4件)：
H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 P ,  C09D183/16 ,  H01L 21/312 C
Fターム (19件)：
4J038DL031 ,  4J038KA06 ,  4J038NA17 ,  4J038NA21 ,  4J038PA21 ,  4J038PB09 ,  4J038PC03 ,  5F058AA05 ,  5F058AA08 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG09 ,  5F058AH01 ,  5F058BA08 ,  5F058BA10 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH17
引用特許：
審査官引用 (6件)
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