レーザ照射方法およびレーザ照射装置、並びに半導体装置の作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-426644
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221560
出願日： 2003年12月24日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：

【課題】レーザ光の照射方法及びそれを行うレーザ照射装置と、レーザ光の照射により半導体膜の結晶化、活性化、加熱等を工程に含む半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】ズーム機能を用いることで、半導体膜に形成される半導体素子の大きさに合わせて、前記線状ビームの長さを変化させることで、レーザアニールに要する時間を短縮し、デザインルールの制限を緩和する。前記ズーム機能は連続可変のものと、数種類の線状ビームの長さを選べるものを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

レーザビームを、光学系1を用いて矩形状でエネルギー分布の均一なビームに変換し、前記ビームを、ズーム機能を有する光学系2に入射させることで照射面に前記均一なビームを結像し、エネルギー分布の均一な線状ビームを形成し、前記ズーム機能を適宜作用させ、照射面における線状ビームの大きさを変化させることを特徴とするレーザ照射方法。

IPC (6件)：

H01L21/268 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (5件)：

H01L21/268 J , G02F1/1368 , G09F9/30 338 , H01L21/20 , H01L29/78 627G

Fターム (138件)：

2H092GA59 , 2H092JA25 , 2H092JA28 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JA45 , 2H092JB61 , 2H092KA04 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA13 , 2H092MA19 , 2H092MA27 , 2H092MA30 , 2H092MA35 , 2H092NA21 , 2H092NA25 , 2H092NA27 , 2H092NA29 , 5C094AA13 , 5C094AA21 , 5C094AA25 , 5C094AA43 , 5C094AA44 , 5C094AA48 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094CA24 , 5C094DA09 , 5C094DA13 , 5C094DB01 , 5C094DB05 , 5C094EA04 , 5C094ED03 , 5C094FA01 , 5C094GB10 , 5F052AA02 , 5F052AA17 , 5F052AA24 , 5F052BA07 , 5F052BA11 , 5F052BA14 , 5F052BB01 , 5F052BB04 , 5F052BB06 , 5F052BB07 , 5F052CA07 , 5F052CA10 , 5F052DA01 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052DA10 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052DB07 , 5F052EA12 , 5F052EA15 , 5F052FA06 , 5F052FA19 , 5F052JA01 , 5F052JA04 , 5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110BB02 , 5F110BB03 , 5F110BB04 , 5F110BB05 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL11 , 5F110HL12 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN73 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP07 , 5F110PP10 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110QQ04 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F110QQ23

引用特許：

審査官引用 (8件)

レーザー光照射装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-076813 出願人：三洋電機株式会社
レ-ザ穴あけ加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-002470 出願人：住友重機械工業株式会社
特開平3-085729

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