特許
J-GLOBAL ID：200903029523132222

表示装置、表示装置を用いたカメラ、ビデオムービー、携帯型の装置、パーソナルコンピュータ、カーナビゲーションシステム及び投影型の液晶表示装置

発明者：
大谷 久

大谷 久 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-169405
公開番号（公開出願番号）：特開2004-266295
出願日： 2004年06月08日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：
【課題】 薄膜トランジスタ(TFT)の回路において、高耐圧のTFTと高速動作が可能なTFTを有する半導体集積回路およびそのような回路を作製するための方法を提供する。【解決手段】 高速動作の必要なTFT(例えば論理回路に用いられるTFT)と高耐圧の必要なTFT(例えば高電圧信号のスイッチングに用いられるTFT)のゲイト絶縁膜とチャネル長を調節する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板と、 前記基板上のチャネル領域を有する半導体層と、 前記半導体層上に形成された酸化珪素を含む第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上に形成された窒化珪素を含む第2の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜とを挟んで前記チャネル領域上に形成されたゲイト電極と、 前記半導体層、前記第1の絶縁膜、前記第2の絶縁膜、及び前記ゲイト電極上に形成された窒化珪素を含む第3の絶縁膜とを有し、 前記第2の絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びており、 前記第1の絶縁膜は、前記第2の絶縁膜の端よりも延びており、 前記第3の絶縁膜は、前記第2の絶縁膜の前記ゲイト電極の端よりも延びている領域の上面及び前記第1の絶縁膜の前記第2の絶縁膜の端よりも延びている領域の上面と接することを特徴とするカメラ。
IPC (2件)：
H01L29/786 ,  G02F1/1368
FI (3件)：
H01L29/78 612B ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 617U
Fターム (60件)：
2H092HA04 ,  2H092JA25 ,  2H092JA35 ,  2H092JB24 ,  2H092JB33 ,  2H092JB57 ,  2H092KA04 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB13 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA27 ,  2H092MA28 ,  2H092MA30 ,  2H092NA21 ,  2H092PA01 ,  2H092PA06 ,  2H092RA10 ,  5F110AA01 ,  5F110AA09 ,  5F110AA12 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE09 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF12 ,  5F110FF23 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL11 ,  5F110HM15 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP29
引用特許：
審査官引用 (13件)
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