特許
J-GLOBAL ID：200903029578944803
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-276454
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091630
出願日： 1998年09月10日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の発光強度を向上させること。【解決手段】窒化ガリウム系化合物半導体発光素子100において、AlX Ga1-XN (0≦X ≦0.06) より形成されたnクラッド層14Bを設ける。nクラッド層14BのAl組成比X 及び膜厚を調整することにより、発光強度が向上する。
請求項（抜粋）：
p型層とn型層とで発光層を挟んだダブルヘテロ接合の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、n型層が、不純物がドープされたAlX Ga1-X N (0≦X ≦0.06) より形成されることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
Fターム (7件)：
5F041AA03
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA82
