特許
J-GLOBAL ID：200903029647447264

高耐圧半導体装置

発明者：
野田 正明

野田 正明 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-075849
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353448
出願日： 2002年03月19日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：
【要約】【課題】 高温で使用してもオン抵抗が劣化しないような高信頼性の高耐圧半導体装置を提供すること。【解決手段】 半導体層1と、ドレインオフセット拡散領域2と、ソース拡散領域5と、ドレイン拡散領域4と、ドレインオフセット拡散領域2に埋設された第1導電型の埋め込み拡散領域3と、フィールド絶縁膜7上にフローティング状態で形成された少なくとも1つのプレート電極(15a、16a、17a)と、プレート電極(15a、16a、17a)上に位置する層間絶縁膜8上に形成され、その一部がドレイン拡散領域4と電気的に接続され、且つプレート電極(15a、16a、17a)と容量結合されている金属電極14(14-1、14-2、14-3)とを備えた高耐圧半導体装置である。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体層と、前記第1導電型の半導体層内に形成された第2導電型のドレインオフセット拡散領域と、前記ドレインオフセット拡散領域から離間して前記第1導電型の半導体層内に形成された第2導電型のソース拡散領域と、前記ドレインオフセット拡散領域内に形成された第2導電型のドレイン拡散領域と、前記ドレインオフセット拡散領域に埋設され、且つ少なくとも一部が前記第1導電型の半導体層に電気的に接続された第1導電型の埋め込み拡散領域と、前記第1導電型の半導体層のうち前記ソース拡散領域と前記ドレインオフセット拡散領域との間に位置する部分の上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ドレインオフセット拡散領域上に形成されたフィールド絶縁膜と、前記フィールド絶縁膜上にフローティング状態で形成された少なくとも1つのプレート電極と、前記フィールド絶縁膜および前記少なくとも1つのプレート電極の上に形成された層間絶縁膜と、前記少なくとも1つのプレート電極上に位置する前記層間絶縁膜上に形成され、その一部が前記ドレイン拡散領域と電気的に接続され、且つ前記少なくとも1つのプレート電極と容量結合されている金属電極とを備える、高耐圧半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/06 301
FI (3件)：
H01L 29/06 301 F ,  H01L 29/78 301 W ,  H01L 29/78 301 D
Fターム (20件)：
5F140AA00 ,  5F140AC21 ,  5F140BD19 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF54 ,  5F140BH04 ,  5F140BH13 ,  5F140BH30 ,  5F140BH41 ,  5F140BH43 ,  5F140BH49 ,  5F140BH50 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ06 ,  5F140BJ23 ,  5F140CA03 ,  5F140CA10 ,  5F140CD08
引用特許：
審査官引用 (11件)
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