特許
J-GLOBAL ID：200903029653709289
超接合半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-024779
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229569
出願日： 2002年01月31日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：
【要約】【課題】 超接合構造を有する半導体素子を製造するにあたって、ボイドが残らないようにトレンチをエピタキシャル成長によって埋めること。また、ボイドが残った場合には、そのボイドを消失させること。【解決手段】 トレンチ側壁を傾斜させ、原料ガスとしてジクロロシランを用いて、800°C以上1000°C以下の温度で、かつ1333.22Pa以上13332.2Pa以下の圧力でエピタキシャル成長をおこなうことによって、エピタキシャル層2内にボイドが残らないようにトレンチをエピタキシャル層2で埋める。また、エピタキシャル成長によってトレンチを十分に埋め込めなかった場合でも、エピタキシャル成長後に900°Cよりも高い温度で水素還元雰囲気アニールをおこなうことによってトレンチ内のボイドを消失させる。
請求項（抜粋）：
トレンチ構造を有する第1導電型の半導体基板に、原料ガスとしてジクロロシランを用いて第2導電型のエピタキシャル層を成長させる工程を含むことを特徴とする超接合半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/78 652
, H01L 29/78 653
H01L 29/78 652 H
, H01L 29/78 653 C
