アモルファスカーボン膜、半導体装置、成膜方法、成膜装置及び記憶媒体

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-326172
公開番号（公開出願番号）：特開2008-141009
出願日： 2006年12月01日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：

【課題】比誘電率を低く抑えながら、弾性率が高く、また熱収縮率が小さいアモルファスカーボン膜及びその膜を備えた半導体装置、並びにアモルファスカーボン膜を成膜する技術を提供する。【解決手段】成膜時にSi(シリコン)の添加量を制御しながらアモルファスカーボン膜を成膜しているので、比誘電率を3.3以下の低い値に抑えながら、弾性率が高く、また熱収縮率の小さいアモルファスカーボン膜を得ることができる。従ってこのアモルファスカーボン膜を、半導体装置を構成する膜として用いた場合に膜剥がれなどの不具合が抑えられ、その結果、低誘電率であり、かつCuなどの金属に対するバリア性を有するといった利点を生かすことができる。【選択図】図10

請求項（抜粋）：

シリコンが添加されて成膜され、比誘電率が3.3以下であることを特徴とするアモルファスカーボン膜。

IPC (5件)：

H01L 21/314 , H01L 21/31 , H01L 21/768 , H01L 23/522 , C23C 16/26

FI (4件)：

H01L21/314 A , H01L21/31 C , H01L21/90 K , C23C16/26

Fターム (54件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA20 , 4K030BA27 , 4K030BB05 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA01 , 4K030JA09 , 4K030LA02 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033KK11 , 5F033KK18 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033QQ28 , 5F033QQ48 , 5F033QQ74 , 5F033RR01 , 5F033RR11 , 5F033RR12 , 5F033SS01 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033VV06 , 5F033WW05 , 5F033WW09 , 5F033XX12 , 5F033XX24 , 5F033XX28 , 5F045AA09 , 5F045AB07 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AC19 , 5F045AE17 , 5F045CB05 , 5F045DP03 , 5F045HA16 , 5F058BA05 , 5F058BC14 , 5F058BC20 , 5F058BF08 , 5F058BF22 , 5F058BF31 , 5F058BH01 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-278249 出願人：エルピーダメモリ株式会社
非晶質炭素、非晶質炭素被膜部材および非晶質炭素膜の成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-340860 出願人：株式会社豊田中央研究所
アライメントマーク構造およびその製造方法、アライメントマーク検出方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-002280 出願人：三菱電機株式会社

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