特許
J-GLOBAL ID:200903082033073994

非晶質炭素、非晶質炭素被膜部材および非晶質炭素膜の成膜方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大川 宏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-340860
公開番号(公開出願番号):特開2005-187318
出願日: 2004年11月25日
公開日(公表日): 2005年07月14日
要約:
【課題】 低弾性率を有する軟質な非晶質炭素、その非晶質炭素からなる被膜を持つ非晶質炭素被膜部材、および非晶質炭素膜の成膜方法を提供する。【解決手段】 本発明の非晶質炭素は、炭素を主成分とし、水素を30at%を超え60at%以下含み、弾性率が40〜150GPaである。また、非晶質炭素被膜部材は、導電性の基材22と、基材22の表面の少なくとも一部に固定した本発明の非晶質炭素からなる被膜と、からなる。また、本発明の非晶質炭素膜の成膜方法は、プラズマCVD法によって導電性の基材22の表面に非晶質炭素膜を形成する非晶質炭素膜の成膜方法であって、成膜炉11内に配置されかつマイナス極に結線された基材保持具21に基材22が互いに対向する状態で複数の基材22を配置すると共に、隣接する2個の基材22の負グロー24が互いに重なるように、処理ガス圧力およびプラズマ電源を操作する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
炭素を主成分とし、水素を30at%を超え60at%以下含み、かつ、弾性率が40〜150GPaであることを特徴とする非晶質炭素。
IPC (3件):
C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  H01L21/205
FI (3件):
C01B31/02 101Z ,  C23C16/26 ,  H01L21/205
Fターム (45件):
4G146AA05 ,  4G146AA15 ,  4G146AB07 ,  4G146AC11A ,  4G146AC11B ,  4G146AC16B ,  4G146AC23A ,  4G146AC23B ,  4G146AC27A ,  4G146AC27B ,  4G146AD01 ,  4G146AD26 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC03 ,  4G146BC09 ,  4G146BC25 ,  4G146BC32B ,  4G146BC38B ,  4G146BC46 ,  4G146DA02 ,  4G146DA16 ,  4G146DA23 ,  4G146DA33 ,  4G146DA47 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030AA11 ,  4K030BA27 ,  4K030BB05 ,  4K030FA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  5F045AA08 ,  5F045AB07 ,  5F045AC00 ,  5F045AC08 ,  5F045AD07 ,  5F045AE21 ,  5F045AF03 ,  5F045BB09 ,  5F045DP20 ,  5F045DQ05
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (13件)
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