埋め込み型半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-040355
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236855
出願日： 1995年02月28日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】埋め込み構造の半導体レーザ等の埋め込み型半導体装置の作製過程において形成された転位や欠陥等の拡散による劣化モードを抑制し、長期にわたり安定して高性能を保持し得る信頼性の高い埋め込み型半導体装置を提供する。【構成】半導体基板上に、少なくとも第1導電型のバッファ層、活性層、第2導電型のクラッド層および第2導電型の電極層を積層してストライプ状に加工したメサストライプと、このメサストライプの両側面に、少なくとも半絶縁性高抵抗層を含む電流阻止層を具備した埋め込み型半導体装置において、活性層の下からの深さが2.0μm以上有する形状のメサストライプとするか、またはメサストライプの高さを、第1導電型のバッファ層、活性層、第2導電型のクラッド層および第2導電型の電極層の各層厚の和よりも小さくし、かつ活性層、第2導電型のクラッド層および第2導電型の電極層の各層厚の和よりも大きくした構造とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、少なくとも第1の導電型を有するバッファ層、活性層、第2の導電型を有するクラッド層および第2の導電型を有する電極層を積層してストライプ状に加工したメサストライプと、該メサストライプの両側面に、少なくとも半絶縁性高抵抗層を含む電流阻止層を具備した埋め込み型半導体装置において、上記活性層の下からの深さが2.0μm以上有する形状のメサストライプを少なくとも配設してなることを特徴とする埋め込み型半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体発光装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-313169 出願人：日本電信電話株式会社
半導体ヘテロ超格子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-056622 出願人：富士通株式会社
特開昭61-294886

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