特許

J-GLOBAL ID：200903029913171245

光記録による金属パタ-ン形成方法、並びにこれを用いた電子素子及び光学素子

発明者： 木村 宏一
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 萩野 平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-012032
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216110
出願日： 1999年01月20日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】 レジストの塗布、マスクを介しての光照射を不要にし、しかも、下地の形状に対する影響を軽減しつつ、高精細な金属パターンを高感度、高効率で高速記録することができる光記録による金属パターン形成方法、並びにこれを用いた電子素子及び光学素子を提供する。【解決手段】 素子の製造における金属パターン形成方法であって、半導体層33を有する基板31に対し、半導体層33上に金属電解質膜35を形成する工程と、半導体層33と金属電解質膜35との間に電界を印加しながら、半導体層33にレーザ光36を照射して描画する工程と、半導体層33表面のレーザ光36を照射した部分に析出した金属を残し、他の部分の金属電解質膜を除去する工程と、を有して光記録による金属パターン形成を行う。

請求項（抜粋）：

素子の製造における金属パターン形成方法であって、半導体層を有する基板に対し、該半導体層上に金属電解質膜を形成する工程と、前記半導体層と前記金属電解質膜との間に電界を印加しながら、前記半導体層にレーザ光を照射して描画する工程と、前記半導体層表面のレーザ光を照射した部分に析出した金属を残し、他の部分の金属電解質膜を除去する工程と、を有することを特徴とする光記録による金属パターン形成方法。

IPC (8件)：

H01L 21/288 ,  C23F 1/00 ,  C25D 7/00 ,  C25D 7/12 ,  G02B 5/18 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3205 ,  H05K 3/02

FI (8件)：

H01L 21/288 E ,  C23F 1/00 Z ,  C25D 7/00 J ,  C25D 7/12 ,  G02B 5/18 ,  H05K 3/02 B ,  H01L 21/306 F ,  H01L 21/88 B