特許
J-GLOBAL ID：200903030111220664

半導体装置およびその製造方法

発明者：
田村 浩之

田村 浩之 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-343083
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142616
出願日： 2001年11月08日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：
【要約】【課題】 インターライン方式のCCD、CMOSセンサー等の光学系の半導体素子で、かつ、半導体素子表面に樹脂層を形成できない場合は、中空構造のパッケージ内に半導体素子を内蔵しなければならない課題があった。【解決手段】 本発明の半導体装置では、絶縁樹脂23上下部に第1および第2の導電配線部24、25を形成し多層構造を実現した絶縁樹脂シート22上に半導体素子28を固着し、半導体素子28とボンディングパッド31とをボンディングワイヤー32で電気的に接続する。そして、半導体素子28等は枠状部35、ガラス板36等より成る凹部34内に位置することで中空構造を実現する。更に、ガラス板36全表面に所望の光の分光特性を得ることが出来る透明樹脂を塗布し、種々の透明樹脂により汎用性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
第1の導電層と、第2の導電層と、前記第1の導電層と前記第2の導電層とをシート状に接着する絶縁樹脂と、前記第1の導電層をエッチングして形成された第1の導電配線層と、前記第2の導電層をエッチングして形成された第2の導電配線層と、前記第1の導電配線層上に固着される半導体素子と、前記第1の導電配線層と前記第2の導電配線層とを所望の個所で前記絶縁樹脂を貫通して接続する多層接続手段と、前記第1の導電配線層上に少なくとも前記半導体素子を囲むように設けられた封止樹脂層より成る枠状部と、各搭載部上に固着された前記半導体素子を気密中空部に位置するように前記枠状部上に接着された透明板と前記第2の導電配線層の所望個所に設けた外部電極とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/04 ,  H01L 27/14 ,  H04N 5/225 ,  H04N 5/335
FI (4件)：
H01L 23/04 E ,  H04N 5/225 D ,  H04N 5/335 V ,  H01L 27/14 D
Fターム (16件)：
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118BA14 ,  4M118FA06 ,  4M118GC11 ,  4M118GD01 ,  4M118HA02 ,  4M118HA22 ,  4M118HA24 ,  4M118HA30 ,  5C022AC42 ,  5C022AC70 ,  5C022AC78 ,  5C024EX22 ,  5C024EX25
引用特許：
審査官引用 (6件)
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