半導体デバイスとゲート誘電体層の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三俣弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-020962
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319673
出願日： 2002年01月30日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：

【要約】【課題】リーク電流を減らし、入力FETキャパシタンスを増加させた半導体デバイスを提供する。【解決手段】本発明によれば、半導体に関し、ゲート誘電体組み合わせ層(60、75)は、第1の層 (60)と第2の層(80)のそれぞれの誘電体層間で形成され、合成されたものである。前記の組み合わされた誘電体層は、3.9から12の酸化シリコン(SiOx≦2) 製の層から構成されている。よって、ゲート誘電体層形成の材料として従来使用されていた二酸化シリコン製バルクの代替材料として酸化シリコンを用いることにより、入力FETキャパシタンスを増加させながら、リーク電流を減らすことを可能とする半導体デバイスを提供することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

導電層とシリコン製基板との間に形成された誘電体層を有し前記誘電体層は、誘電率が3.9以上12以下である酸化シリコン(SiOx≦2)の層を含むことを特徴とする請求項1記載の半導体デバイス。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/316 X , H01L 29/78 301 G

Fターム (19件)：

5F058BA20 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BF04 , 5F058BF06 , 5F058BJ04 , 5F140AA00 , 5F140AA24 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BD15 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE10

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体基板上に半導体デバイスを形成する方法及びトランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-249561 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-243758 出願人：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-199590 出願人：株式会社東芝

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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