特許
J-GLOBAL ID：200903030254153062

磁気抵抗デバイス及びその製造方法

発明者：
福本 能之

福本 能之 について

, 
志村 健一

志村 健一 について

, 
上條 敦

上條 敦 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-016992
公開番号（公開出願番号）：特開2007-158369
出願日： 2007年01月26日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：
【課題】磁気抵抗素子を他の素子に電気的に接続する導体(例えば,ビア及び配線)と,磁気抵抗素子を構成する層との間の相互拡散を防止することにより,磁気抵抗素子の熱的安定性を,一層に向上する技術を提供する。【解決手段】本発明による磁気抵抗デバイスは,反転可能な自由自発磁化を有する自由強磁性層(10)と固定された固定自発磁化を有する固定強磁性層(8)と前記自由強磁性層(10)と前記固定強磁性層(8)との間に介設されたトンネル絶縁層(9)を含む磁気抵抗素子(4)と,前記トンネル絶縁層を介さずに前記自由強磁性層に電気的に接続される非磁性の導体(3)と,前記自由強磁性層(10)と前記導体(3)との間に介設される拡散防止構造体(14)とを備えている。前記自由強磁性層(10)は,前記トンネル絶縁層に直接に接合する強磁性層(31)と,強磁性層(31)に接合され,且つ,非磁性元素と強磁性層(31)を構成する強磁性材料とを含有する磁化制御構造体(32,34,35)とを含む。【選択図】図27
請求項（抜粋）：
反転可能な自由自発磁化を有する自由強磁性層と,固定された固定自発磁化を有する固定強磁性層と,前記自由強磁性層と前記固定強磁性層との間に介設されたトンネル絶縁層を含む磁気抵抗素子と, 前記トンネル絶縁層を介さずに前記自由強磁性層に電気的に接続される非磁性の導体と, 前記自由強磁性層と前記導体との間に介設される拡散防止構造体 とを備え, 前記自由強磁性層は, 前記トンネル絶縁層に直接に接合する強磁性層と, 前記強磁性層に接合され,且つ,非磁性材料と前記強磁性層を構成する強磁性材料とを含有する磁化制御構造体 とを含む 磁気抵抗デバイス。
IPC (4件)：
H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11B 5/39
FI (4件)：
H01L43/08 Z ,  H01L43/08 D ,  H01L27/10 447 ,  G11B5/39
Fターム (41件)：
4M119AA06 ,  4M119BB01 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD08 ,  4M119DD25 ,  4M119FF04 ,  4M119FF13 ,  4M119FF14 ,  5D034BA05 ,  5D034BA09 ,  5D034BA15 ,  5D034BA21 ,  5D034CA02 ,  5F092AA06 ,  5F092AA08 ,  5F092AB02 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092BB09 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB33 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB55 ,  5F092BB73 ,  5F092BB74 ,  5F092BB90 ,  5F092BC04 ,  5F092BC08 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC18 ,  5F092BC22 ,  5F092BC32 ,  5F092BC39 ,  5F092BC42 ,  5F092BE24
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (6件)
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