特許
J-GLOBAL ID：200903095336182600

磁気抵抗効果センサ、該センサを備えた薄膜磁気ヘッド、該センサの製造方法及び該ヘッドの製造方法

発明者：
佐々木 徹郎

佐々木 徹郎 について

, 
照沼 幸一

照沼 幸一 について

, 
田中 浩介

田中 浩介 について


出願人/特許権者：
ティーディーケイ株式会社

ティーディーケイ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-155646
公開番号（公開出願番号）：特開2002-094142
出願日： 2001年05月24日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：
【要約】【課題】 抵抗変化ΔRsを大きくすることによって高記録密度化に対応すると共にアシメトリ特性のばらつきを改善することができるMRセンサ、このMRセンサを備えた薄膜磁気ヘッド、このMRセンサの製造方法及びこの薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】 磁化方向が固定される少なくとも1つの磁化固定層と、少なくとも1つの非磁性層と、少なくとも1つの磁化固定層に少なくとも1つの非磁性層を介して積層されており印加される磁界に応じて磁化方向が可変の磁化自由層とを備えており、磁化自由層の少なくとも一部に所定金属が拡散されている。
請求項（抜粋）：
磁化方向が固定される少なくとも1つの磁化固定層と、少なくとも1つの非磁性層と、前記少なくとも1つの磁化固定層に前記少なくとも1つの非磁性層を介して積層されており印加される磁界に応じて磁化方向が可変の磁化自由層とを備えており、前記磁化自由層の少なくとも一部に所定金属が拡散されていることを特徴とする磁気抵抗効果センサ。
IPC (6件)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/12 ,  H01F 41/32 ,  H01L 43/12
FI (6件)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/12 ,  H01F 41/32 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R
Fターム (14件)：
2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AC09 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034AA02 ,  5D034AA03 ,  5D034BA03 ,  5D034CA04 ,  5D034DA07 ,  5E049AC05 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12
引用特許：
出願人引用 (10件)
全件表示
審査官引用 (10件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM