特許
J-GLOBAL ID：200903030716005153
窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-088059
公開番号（公開出願番号）：特開平11-266058
出願日： 1998年03月16日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：
【要約】【課題】フリップチップ型のレーザダイオードの共振器の平頂部上面に形成するp電極の高さは、n型層に接合するn電極の高さと異なるため、このレーザダイオードをヒートシンクに接続固定する際2つの電極の段差を半田で全て解消しなければならなず、レーザダイオードを傾けず正確に接続固定することが難しい。【解決手段】共振器平頂部以外の共振器平頂部と同じ高さのエッチングされずに残った窒化ガリウム系化合物半導体最上層の上面と、この上面の第1部分領域から、エッチングにより露出した半導体表面の第1部分領域を経て、共振器平頂部の少なくとも1部分を露出させて共振器平頂部まで形成された絶縁性保護膜と、共振器平頂部の露出部に接合し絶縁性保護膜上に渡って形成されたp電極と、上記上面の第2部分領域からエッチングにより露出した半導体表面の第2部分領域に渡って形成されたn電極とを設ける。
請求項（抜粋）：
基板上に窒化ガリウム系化合物半導体から成る複数の層を形成し、共振器部分を残してその周辺部分をエッチングにより除去することで、共振器を平頂な島、メサまたはリッジ型に形成したフリップチップ構造の窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオードにおいて、前記共振器平頂部以外の前記共振器平頂部と同じ高さの前記エッチングの対象とされずに残った窒化ガリウム系化合物半導体最上層の上面と、前記上面の第1部分領域から、前記エッチングにより露出した半導体表面の第1部分領域を経て、前記共振器平頂部の少なくとも1部分を露出させて前記共振器平頂部まで形成された絶縁性保護膜と、前記共振器平頂部の露出部に接合し、前記絶縁性保護膜上に渡って形成されたp電極と、前記上面の第2部分領域から、前記エッチングにより露出した半導体表面の第2部分領域に渡って形成されたn電極とを有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
