特許
J-GLOBAL ID：200903030407648589

化学増幅系ネガ型レジスト材料

発明者：
山名 慎治

山名 慎治 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-053950
公開番号（公開出願番号）：特開2000-250218
出願日： 1999年03月02日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【課題】 レジストを薄膜化しても十分なエッチング耐性が得られ、十分な焦点深度を確保することができる化学増幅系ネガ型レジスト材料を提供する。【解決手段】 ベース樹脂、光酸発生剤、架橋剤、及び一般式Si(OR)n R′4-n (式中、RおよびR′は互いに同一でも異なっていてもよい炭素数1〜8のアルキル基またはアリール基、nは1〜4の整数を示し、nが2,3または4のときRは全て同一でも異なっていてもよく、同様にnが1または2のときR′は全て同一でも異なっていてもよい)で表されるシラン単量体を含有する。
請求項（抜粋）：
ベース樹脂、光酸発生剤、架橋剤、及び一般式Si(OR)n R′4-n (式中、RおよびR′は互いに同一でも異なっていてもよい炭素数1〜8のアルキル基またはアリール基、nは1〜4の整数を示し、nが2,3または4のときRは全て同一でも異なっていてもよく、同様にnが1または2のときR′は全て同一でも異なっていてもよい)で表されるシラン単量体を含有することを特徴とする化学増幅系ネガ型レジスト材料。
IPC (3件)：
G03F 7/038 601 ,  G03F 7/075 501 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F 7/038 601 ,  G03F 7/075 501 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (13件)：
2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BE00 ,  2H025CB17 ,  2H025CB45 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20 ,  2H025DA18 ,  2H025EA04 ,  2H025FA12
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (10件)
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