特許
J-GLOBAL ID：200903030593229418

露光装置の露光動作評価方法および半導体デバイスの製造方法

発明者：
幡井 徹也

幡井 徹也 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-248447
公開番号（公開出願番号）：特開2007-067018
出願日： 2005年08月29日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：
【課題】 一層目または途中層の多数の種類の精度確認を総合的に一括して、ステップ隣接ショット間毎の転写ズレを検出して評価することにより、半導体デバイスの製造工程を簡略化でき、かつ、次の第2層目または途中層以降の層のために第1層目または途中層を位置的に精度よく調整制御する。【解決手段】 レチクルRに回路パターンと共に評価パターンを形成する。このとき、評価パターンはレチクルRの4辺の両端部に近い位置に所定の数だけ形成する。ウェハW上の第1層目に回路パターンと評価パターンとを一括で転写する。この露光動作を順次繰り返すことによりウェハW全面にレクチルパターンを転写する。転写する際に、評価パターン2aが設けられている評価ショットの外周縁部を、評価パターン2bが設けられている隣接ショットの外周縁部と重なるように転写する。評価パターン2aと評価パターン2bとの重ね合わせ時のズレ量を測定する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
回路パターンの外周側に評価パターンが配置された4角形の露光領域を順次ステップ移動させながら基板上に複数露光して転写する場合に、該露光領域の4辺に隣接する各露光領域と重なり合う重ね合わせ領域にそれぞれ該評価パターンを所定数配置して該基板上に転写する露光装置の露光動作評価方法であって、 該基板上に転写された隣接露光領域の各評価パターン間の転写誤差を測定し、 該転写誤差の測定結果に基づいて該露光装置の露光動作における複数の線形成分を算出し、該複数の線形成分により該転写誤差を抑制制御可能とする露光装置の露光動作評価方法。
IPC (1件)：
H01L 21/027
FI (1件)：
H01L21/30 525X
Fターム (5件)：
5F046AA01 ,  5F046DB05 ,  5F046EB01 ,  5F046FC04 ,  5F046FC06
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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