薄膜の形成方法及び半導体発光素子の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-308370
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138215
出願日： 1998年10月29日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】 ECRスパッタ法を用いて、堆積速度が安定して密着強度が大きい薄膜を確実に形成できるようにする。【解決手段】 ECRスパッタ装置におけるターゲットにSiターゲット材23を用い、流量が30cc/minのアルゴンガス及び流量が4.5cc/minで堆積時よりも少量の酸素ガスを薄膜堆積室22に導入しながらECRプラズマを生成する。その後、酸素ガスの供給量を所定量の6.5cc/minに増やし、薄膜を堆積する条件を満たした後に、SiO2 からなる薄膜27を試料21の表面上に堆積する。

請求項（抜粋）：

ECRプラズマ法を用いてプラズマ化された反応性ガスと、ECRプラズマ法を用いてプラズマ化されたガスの衝突により固体ターゲット材から脱離した原子又は分子とが試料の表面上で反応してなる薄膜を前記試料の表面上に堆積させる薄膜の形成方法において、プラズマ化された前記反応性ガスを用いて前記固体ターゲット材の表面を清浄化する清浄化工程と、前記固体ターゲット材の表面を清浄化した後、前記試料の表面上に前記薄膜を堆積する薄膜堆積工程とを備えていることを特徴とする薄膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 , H01L 21/31 , H01L 21/318 , H01L 33/00 , H01S 5/02

FI (5件)：

H01L 21/316 Y , H01L 21/31 C , H01L 21/318 B , H01L 33/00 A , H01S 3/18 610

Fターム (27件)：

5F041CA77 , 5F041CB15 , 5F041EE23 , 5F045AA19 , 5F045AB31 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045BB08 , 5F045BB17 , 5F045CA12 , 5F045DP05 , 5F045EH17 , 5F045HA01 , 5F058BA10 , 5F058BA20 , 5F058BB01 , 5F058BC01 , 5F058BC07 , 5F058BD00 , 5F058BE10 , 5F058BF14 , 5F058BF15 , 5F058BJ01 , 5F073AA83 , 5F073CB20 , 5F073DA33 , 5F073DA35

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体レーザ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-322759 出願人：日本電信電話株式会社
特開平2-305953
特開平4-160144

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審査官引用 (7件)

薄膜構成体とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-139152 出願人：富士通株式会社
半導体レーザ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-322759 出願人：日本電信電話株式会社
特開平2-305953

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