特許
J-GLOBAL ID：200903030793937158

光電変換素子

発明者：
神戸 照美

神戸 照美 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-144286
公開番号（公開出願番号）：特開2006-324339
出願日： 2005年05月17日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：
【課題】 最適な低反射膜を光電変換部に備え、スミアの発生が少なく、耐圧性能が損なわれず、白点欠陥などのエッチングダメージを生じることなく製造できる光電変換装置を提供する。【解決手段】 CCD固体撮像素子において、ゲート絶縁膜21とは別に、少なくともフォトセンサ部2からゲート絶縁膜21に接する位置まで、透明絶縁膜22を形成する。転送電極19の周辺で透明絶縁膜22を被覆するように遮光膜23Aを形成し、その開口部8において透明絶縁膜22に接するように低反射膜24Aを形成する。更に、遮光膜23Aに重なるように遮光膜24Bを形成し、その開口部9において低反射膜24Aに接するように低反射膜24Bを積層する。遮光膜23Aを最小限の厚さとし、そのエッチングストップ層としての透明絶縁膜22の膜厚を最小限に抑える。低反射膜24Aは、遮光膜23Bのエッチングストップ層として働く最小の厚さとする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基体に形成された光電変換部と、前記光電変換部に隣接して前記半導体基体上に 形成された電荷転送ゲートとを備えた光電変換素子であって、 前記光電変換部から、少なくとも前記電荷転送ゲートのゲート絶縁膜に接する位置ま で、前記半導体基体表面に光透過性絶縁膜が形成され、 前記電荷転送ゲートの周囲に存在する前記光透過性絶縁膜を被覆するように、前記光 電変換部上に第1の開口部を有する第1の遮光膜が形成され、 前記光透過性絶縁膜より屈折率が大きい材料からなる低反射膜が、少なくとも前記第 1の開口部において前記光透過性絶縁膜に接するように形成され、 前記光電変換部上に第2の開口部を有する第2の遮光膜が前記第1の遮光膜上に形成 されている、 光電変換素子。
IPC (2件)：
H01L 27/148 ,  H01L 27/14
FI (2件)：
H01L27/14 B ,  H01L27/14 D
Fターム (18件)：
4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118CA04 ,  4M118CA32 ,  4M118CB13 ,  4M118CB14 ,  4M118DA20 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA35 ,  4M118GB07 ,  4M118GB11 ,  4M118GB17 ,  4M118GC07
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM