特許

J-GLOBAL ID：200903030904509126

半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 中西 康夫 ,  堤 一陽 ,  園部 雅之
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (4件)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-304190
公開番号（公開出願番号）：特開2009-194365
出願日： 2008年11月28日
公開日（公表日）： 2009年08月27日
要約：

【課題】外部発光効率の向上した半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板10と、基板10上に配置された保護膜18と、保護膜18に挟まれた基板10および保護膜18上に配置され,n型不純物をドープされたn型半導体層12と、n型半導体層12上に配置された活性層13と、活性層13上に配置され,p型不純物をドープされたp型半導体層14とを備えることを特徴とする半導体発光素子およびその製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に配置された保護膜と、 前記保護膜に挟まれた前記基板および前記保護膜上に配置され,n型不純物をドープされたn型半導体層と、 前記n型半導体層上に配置された活性層と、 前記活性層上に配置され,p型不純物をドープされたp型半導体層と を備えることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (9件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CB15

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 窒化物系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-087935   出願人：松下電子工業株式会社, 杉野隆
• 窒化ガリウム系化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-209295   出願人：酒井士郎, ナイトライド・セミコンダクター株式会社

審査官引用 (3件)

• 発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器ならびに電子装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-001537   出願人：ソニー株式会社
• 3族窒化物系発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-066799   出願人：三菱電線工業株式会社
• 窒化物系半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-363655   出願人：三洋電機株式会社