特許
J-GLOBAL ID：200903030967954731

クロック同期型半導体記憶装置

発明者：
濱本 武史

濱本 武史 について

, 
川崎 賢

川崎 賢 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-286624
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110185
出願日： 1999年10月07日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：
【要約】【課題】 クロックアクセス時間を短縮することのできるクロック同期型半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 メモリアレイから読出された相補データ信号を出力クロック信号(CLK2)に従って外部データ出力ノード(Q)へ転送する出力データ制御回路(ODC)において、出力クロック信号に同期して、相補データ信号を転送するクロックドゲート回路(12)と、クロックドゲート回路12の出力信号をラッチする出力データラッチ回路(13)とを、内部電源電圧以上の電圧レベルで動作させかつクロックドゲート回路前段において、メモリセルが読出された相補データ信号をそれぞれ振幅拡大処理を行なってクロックドゲート回路へ与える。
請求項（抜粋）：
外部電源電圧から前記外部電源電圧レベル以下の内部電源電圧を生成するための内部電源回路、複数のメモリセルを有するメモリセルアレイ、前記内部電源回路からの内部電源電圧を一方動作電源電圧として受けて動作し、前記メモリアレイのアドレス指定されたメモリセルを選択し、かつ該選択されたメモリセルのデータを読出すための内部回路、および前記内部回路により読出されたメモリセルデータを相補信号の形で受けて前記外部電源電圧レベルの振幅の相補内部読出データ信号対を生成するための振幅拡大回路を備え、前記振幅拡大回路は、前記相補データ信号対各々の振幅を拡大するための回路を含み、さらに前記内部電源電圧以上のレベルの電圧を一方動作電源電圧として受けて動作し、出力クロック信号に同期して前記振幅拡大回路の出力する内部読出データを転送するための転送回路、前記内部電源電圧以上のレベルの電圧を一方動作電源電圧として受けて動作し、前記転送回路の出力データをラッチするための出力データラッチ回路、および前記外部電源電圧と別々に与えられる出力電源電圧を動作電源電圧として受けて動作し、前記出力データラッチ回路のラッチデータをバッファ処理して出力ノードへ外部読出データとして出力する出力バッファを備える、クロック同期型半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 11/409 ,  G11C 11/407
FI (3件)：
G11C 11/34 354 Q ,  G11C 11/34 354 C ,  G11C 11/34 362 S
Fターム (5件)：
5B024AA15 ,  5B024BA21 ,  5B024BA29 ,  5B024CA07 ,  5B024CA15
引用特許：
審査官引用 (6件)
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