LED、LEDチップ、LEDモジュール、および照明装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島司朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-185508
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019874
出願日： 2003年06月27日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】実装面積を拡大することなく、輝度を向上することができるLED等を提供すること。【解決手段】p-Al0.1Ga0.9Nクラッド層(Mgドープ量3×1019cm-3)とn-Al0.1Ga0.9Nクラッド層(Siドープ量2×1018cm-3)とでIn0.03Ga0.97N(厚さ3nm)/Al0.05Ga0.95N(厚さ5nm)5周期の多重量子井戸発光層を挟んでなるダイオード構造層24、26、28を、p+-GaN高ドープ層(Mgドープ量3×1019cm-3、厚さ10nm)とn+-GaN高ドープ層(Siドープ量6×1019cm-3、厚さ10nm)からなるコンタクト層30,32を介して複数層積層してLEDを構成した。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

p型クラッド層とn型クラッド層とで発光層を挟んでなるダイオード構造層が、コンタクト層を介して、複数層積層されてなり、前記コンタクト層は、隣接するダイオード構造層間を電気的に接続するとともに、発光層で発せられた光を透過することを特徴とするLED。

IPC (5件)：

H01L33/00 , F21S2/00 , F21S8/04 , F21V5/04 , F21V19/00

FI (6件)：

H01L33/00 C , H01L33/00 N , F21V5/04 Z , F21V19/00 P , F21S1/00 E , F21S1/02 G

Fターム (20件)：

3K013BA01 , 3K013CA05 , 5F041AA03 , 5F041AA04 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA14 , 5F041CA40 , 5F041CB05 , 5F041CB25 , 5F041CB28 , 5F041CB29 , 5F041DA09 , 5F041DA34 , 5F041DA36 , 5F041DA43 , 5F041DA57 , 5F041DA77 , 5F041EE25 , 5F041FF11

引用特許：

審査官引用 (13件)

双方向半導体発光素子及び光伝送装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-209062 出願人：株式会社東芝
トンネル接合を含む発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-337723 出願人：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー
広帯域な励起を有する発光ダイオード白色光源
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-535238 出願人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

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