プラズマ処理方法及び装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-232077
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074251
出願日： 1997年08月28日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】均一な低電子温度プラズマを発生させることができるプラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】真空容器1内に、ガス供給ユニット2から所定のガスを導入しつつ、ポンプ3により排気を行い、真空容器1内を所定の圧力に保ちながら、アンテナ用高周波電源4により100MHzの高周波電力を誘電体5上に載置されたアンテナ6に供給することにより、凸部9に基板8付近よりも高密度のプラズマを発生させ、拡散によってプラズマを基板8付近まで輸送し、電極7上に載置された基板8に対してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処理を行う。

請求項（抜粋）：

真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、アンテナに50MHz乃至1GHzの高周波電力を供給することにより真空容器内に電磁波を放射し、真空容器内の電極に対向して設けられ、かつ、プラズマ状態を制御するための静磁界が存在しない真空容器の凸部に、基板付近よりも高密度のプラズマを発生させ、電極に載置された基板を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (7件)：

H01L 21/3065 , C23C 14/34 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (7件)：

H01L 21/302 B , C23C 14/34 Z , C23C 16/50 , C23F 4/00 D , H01L 21/203 S , H01L 21/205 , H05H 1/46 A

引用特許：

出願人引用 (7件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-273138 出願人：東京エレクトロン株式会社
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-232286 出願人：株式会社日立製作所
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-351309 出願人：東京エレクトロン株式会社

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審査官引用 (7件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-273138 出願人：東京エレクトロン株式会社
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-232286 出願人：株式会社日立製作所
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-351309 出願人：東京エレクトロン株式会社

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