レーザ照射装置、レーザ照射方法及び半導体装置の作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-394924
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193592
出願日： 2003年11月26日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：

【課題】ビームスポットの面積を飛躍的に広げ、結晶性の劣る領域の占める割合を低減することができるレーザ照射装置の提供を課題とする。また連続発振のレーザ光を用いつつ、スループットをも高めることができる、レーザ照射装置の提供を課題とする。さらに本発明は、該レーザ照射装置を用いたレーザ照射方法及び半導体装置の作製方法の提供を課題とする。【解決手段】高調波のパルス発振の第1のレーザ光により溶融した領域に、連続発振の第2のレーザ光を照射する。具体的に第1のレーザ光は、可視光線と同程度かそれより短い波長(780nm以下程度)を有する。第1のレーザ光によって半導体膜が溶融することで、第2のレーザ光の半導体膜への吸収係数が飛躍的に高まり、第2のレーザ光が半導体膜に吸収されやすくなる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

被処理物に対する吸収係数が1×104cm-1以上の波長を有する第1のレーザ光をパルス発振する第1のレーザ発振器と、前記第1のレーザ光のビームスポットの形状及びその位置を制御する手段と、第2のレーザ光を連続発振する第2のレーザ発振器と、前記第2のレーザ光のビームスポットの形状及びその位置を、前記第1のレーザ光のビームスポットと重なるように制御する手段と、前記第1のレーザ光のビームスポット及び前記第2のレーザ光のビームスポットの被処理物に対する相対的な位置を制御する手段とを有することを特徴とするレーザ照射装置。

IPC (4件)：

H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (3件)：

H01L21/20 , H01L21/268 J , H01L29/78 627G

Fターム (69件)：

5F052AA02 , 5F052BA07 , 5F052BA11 , 5F052BB01 , 5F052BB02 , 5F052BB04 , 5F052BB05 , 5F052BB06 , 5F052BB07 , 5F052CA04 , 5F052CA10 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052DB03 , 5F052DB07 , 5F052FA06 , 5F052FA19 , 5F052JA01 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD06 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG33 , 5F110GG45 , 5F110HJ23 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP07 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP23 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体薄膜、その製造方法、および製造装置、ならびに半導体素子、およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-391468 出願人：松下電器産業株式会社
表面処理装置及び方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-014005 出願人：住友重機械工業株式会社
レーザアニーリング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-285471 出願人：三菱電機株式会社

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