特許
J-GLOBAL ID：200903031481708670
シリコン鋳造用鋳型及びシリコン鋳造装置並びに多結晶シリコンインゴットの鋳造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-095849
公開番号（公開出願番号）：特開2006-273664
出願日： 2005年03月29日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：
【課題】高品質シリコンインゴットを低コストで製造するための多結晶シリコンインゴットの鋳造用鋳型を提供する。【解決手段】内面に離型材皮膜を具備し、内部でシリコン原料を融解、又はシリコン融液を保持あるいは凝固させた後、冷却するシリコン鋳造用鋳型であって、鋳型の鋳型部材が二酸化珪素を主成分とする粉体を焼成した焼結体で形成され、鋳型部材の900°Cにおける熱伝導率が1.0(W/(m・K))以上である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
内面側に離型材皮膜を備えるとともに、内部でシリコン原料を融解、又はシリコン融液を保持あるいは凝固させた後、冷却するシリコン鋳造用鋳型であって、
前記鋳型を構成する鋳型部材は、二酸化珪素を主成分とする粉体を焼成した焼結体で形成されているとともに、900°Cにおける熱伝導率が1.0(W/(m・K))以上であるシリコン鋳造用鋳型。
IPC (2件)：
FI (3件)：
C01B33/02 Z
, C01B33/02 E
, B22D25/04 Z
4G072AA02
, 4G072BB01
, 4G072BB12
, 4G072CC18
, 4G072GG03
, 4G072GG04
, 4G072HH01
, 4G072NN01
, 4G072NN02
, 4G072UU02
出願人引用 (3件)
審査官引用 (5件)
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