特許
J-GLOBAL ID：200903051844838491
半導体レーザ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-354972
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186662
出願日： 1997年12月24日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 良好な放熱構造を実現することにより、発光特性、温度特性や信頼性が改善され、長寿命な半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子のp側電極に複数のワイアを接続することにより、半導体レーザ素子の活性層の発振領域において高い密度で発生する熱を効率的に外部に放出することができ、レーザの諸特性や信頼性を改善し、寿命を伸ばすことができる。
請求項（抜粋）：
窒化ガリウム系化合物半導体を含み、少なくともひとつの電極パッドを有する半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子に電流を供給する電極端子と、前記電極パッドと前記電極端子とを接続する複数のワイアと、を備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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