特許
J-GLOBAL ID:200903031653676270

多層配線基板とその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 尾川 秀昭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-374462
公開番号(公開出願番号):特開2001-189561
出願日: 1999年12月28日
公開日(公表日): 2001年07月10日
要約:
【要約】【課題】 基板の両主面上の配線層がスルーホール(孔)の形成部分上において凹みが生じるおそれがなく、従って、LSIチップや半田ボールの接続、搭載に支障を来すおそれがなく、配線膜上に更に別の配線膜を積層してより多層化することが容易で、且つ、各多層配線膜をそれぞれ微細なパターンで必要な厚さを有するように形成することができる多層配線基板を提供する。【解決手段】絶縁膜2の両面に配線膜3を形成し、その両面の配線膜3・3間を接続する貫通孔4を形成したベースシート1の該貫通孔4を導電材料5で埋め、ベースシート1の片側又は両側の主面に、貫通孔4に対応した位置に一方の側に突出した金属製突起8を有し他方の側に配線膜7を有する積層シート6を、該金属製突起8が貫通孔4を埋める導電材料5と接するようにして積層してなる。
請求項(抜粋):
絶縁膜の両面に金属からなる配線膜を形成し、その両面の配線膜間を電気的接続する貫通孔を形成したベースシートの、該貫通孔を導電材料で埋め、上記ベースシートの片側又は両側の主面に、上記貫通孔に対応した位置に一方の側に突出した金属製突起を有し他方の側に配線膜を有する積層シートを、該金属製突起が上記貫通孔を埋める上記導電材料と接するようにして積層したことを特徴とする多層配線基板。
IPC (2件):
H05K 3/46 ,  H05K 3/40
FI (2件):
H05K 3/46 N ,  H05K 3/40 K
Fターム (40件):
5E317AA24 ,  5E317BB12 ,  5E317BB14 ,  5E317BB22 ,  5E317CC22 ,  5E317CC25 ,  5E317CC32 ,  5E317CC33 ,  5E317CD15 ,  5E317CD18 ,  5E317CD25 ,  5E317CD27 ,  5E317CD32 ,  5E317GG03 ,  5E317GG14 ,  5E346AA06 ,  5E346AA32 ,  5E346AA35 ,  5E346AA43 ,  5E346CC32 ,  5E346CC39 ,  5E346DD02 ,  5E346DD12 ,  5E346DD32 ,  5E346EE09 ,  5E346EE13 ,  5E346EE18 ,  5E346FF07 ,  5E346FF15 ,  5E346FF18 ,  5E346FF35 ,  5E346GG15 ,  5E346GG17 ,  5E346GG18 ,  5E346GG22 ,  5E346GG23 ,  5E346GG25 ,  5E346GG28 ,  5E346HH11 ,  5E346HH26
引用特許:
審査官引用 (5件)
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