特許
J-GLOBAL ID：200903031741633122

テラヘルツ電磁波発生照射方法及び装置

発明者：
西澤 潤一

西澤 潤一 について

, 
須藤 建

須藤 建 について


出願人/特許権者：
財団法人半導体研究振興会

財団法人半導体研究振興会 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-437003
公開番号（公開出願番号）：特開2005-195382
出願日： 2003年12月26日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：
【課題】 本発明は食品、薬品、人体皮膚などに直接テラヘルツ波を発生照射して反射波を検出するテラヘルツ電磁波発生照射方法及び装置において携帯可能で検体にテラヘルツプローブを近づけて操作できる装置を提供するものである。【解決手段】 ポンプレーザ及び信号レーザの出力を一本のファイバ内に結合してテラヘルツプローブに導入し、テラヘルツプローブに配置されたレンズ、テラヘルツ発生用結晶、テラヘルツ導波管、検体からの反射波を検出する小型室温検出器を一つの小型筐体に堅固にほぼ縦列配置させたテラヘルツプローブによって反射出力を得る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
二つのレーザ光の出力をビームコンバイナによって一つのファイバのビームとなし、ファイバの出力を携帯可能なテラヘルツ電磁波プローブに導入し、小型レンズによって前記レーザ光を所定の直径を有する平行ビームとなし、これをテラヘルツ電磁波発生用結晶に導入し該結晶の出力面にほぼ垂直に近づけた導波管あるいはレンズによって細く絞られたテラヘルツ電磁波ビームを形成し、任意の位置にある検体に、上記携帯可能なテラヘルツ電磁波プローブを近づけることにより、反射したテラヘルツ電磁波を前記プローブ内に配置した検知器によって検出することを特徴とするテラヘルツ電磁波発生照射方法及び装置。
IPC (1件)：
G01N21/35
FI (1件)：
G01N21/35 Z
Fターム (9件)：
2G059GG01 ,  2G059HH01 ,  2G059JJ02 ,  2G059JJ11 ,  2G059JJ12 ,  2G059JJ17 ,  2G059JJ19 ,  2G059JJ22 ,  2G059KK01
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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