特許
J-GLOBAL ID：200903031813750609

GaN系電界効果トランジスタ

発明者：
李 江

李 江 について

, 
増田 満

増田 満 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 松下 亮
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-063644
公開番号（公開出願番号）：特開2009-218528
出願日： 2008年03月13日
公開日（公表日）： 2009年09月24日
要約：
【課題】コストの低減と回路の小型化を図ることができるGaN系電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】デプレッション型GaN系電界効果トランジスタ10は、ゲート電極25と直列に接続されたコンデンサ40を備える。このコンデンサ40は、ゲート電極25の上に形成された絶縁膜29とこの絶縁膜29上に形成された第2のゲート電極41とで構成される。また、ショットキー電極であるゲート電極25とオーミック電極であるソース電極26とでダイオード(ショットキーダイオード)D1が構成される。コンデンサ40とダイオードD1を有する電界効果トランジスタ10を駆動する回路には、外付けのコンデンサが不要になるので、コストの低減と駆動回路の小型化が可能になる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
GaN系半導体からなる第1の半導体層と、 前記第1の半導体層上に形成された前記第1の半導体層よりもバンドギャップエネルギーの大きいGaN系半導体からなる第2の半導体層と、 前記第2の半導体層上に形成されたソース電極、第1のゲート電極、およびドレイン電極と、 少なくとも前記ゲート電極の上に形成された絶縁膜と該絶縁膜上に形成された第2のゲート電極と、を備えることを特徴とするGaN系電界効果トランジスタ。
IPC (11件)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/095 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (6件)：
H01L27/06 F ,  H01L29/80 E ,  H01L29/80 H ,  H01L27/04 C ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/48 D
Fターム (42件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB01 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104CC03 ,  4M104EE05 ,  4M104EE06 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  5F038AC05 ,  5F038AC07 ,  5F038AC15 ,  5F038AC16 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ20 ,  5F102GA14 ,  5F102GA16 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102GV09
引用特許：
審査官引用 (9件)
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