特許
J-GLOBAL ID：200903031831601440

保護膜製造方法および有機EL素子

発明者：
猿渡 哲也

猿渡 哲也 について


出願人/特許権者：
株式会社島津製作所

株式会社島津製作所 について


代理人 (1件)： 永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-220932
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063304
出願日： 2002年07月30日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：
【課題】残留応力が小さく、防湿性能に優れた保護膜を形成することができ、被成膜対象に熱的ダメージを与えない保護膜製造方法の提供。【解決手段】有機EL素子の有機EL層を覆う保護膜5は、圧縮応力を有する高密度なシリコン窒化膜52と、それを挟むように形成された引っ張り応力を有する低密度なシリコン窒化膜51,53とから成る3層構造を有している。このように圧縮応力層と引っ張り応力層とを交互に積層することにより、保護膜5全体の残留応力を低減することができる。その結果、保護膜5が剥離しにくくなった。また、緻密な高密度シリコン窒化膜52を有しているため、保護膜5は防湿性能に優れている。さらに、高密度プラズマCVD法によりシリコン窒化膜51〜53を形成するようにしたので成膜温度の低温化が図れ、有機EL素子への熱的ダメージを低減することができる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
シリコン窒化膜の多層膜から成る保護膜を高密度プラズマCVD法により形成する保護膜製造方法であって、 成膜材料ガスに含まれる窒素ガス濃度を変えることにより、圧縮応力を有するシリコン窒化膜と引っ張り応力を有するシリコン窒化膜とを交互に積層した保護膜を形成することを特徴とする保護膜製造方法。
IPC (4件)：
H05B33/10 ,  C23C16/42 ,  H05B33/04 ,  H05B33/14
FI (4件)：
H05B33/10 ,  C23C16/42 ,  H05B33/04 ,  H05B33/14 A
Fターム (16件)：
3K007AB11 ,  3K007AB13 ,  3K007AB15 ,  3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  3K007FA02 ,  3K007FA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030BB12 ,  4K030FA02 ,  4K030JA06 ,  4K030LA18
引用特許：
出願人引用 (9件)
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