窒化物半導体発光素子の実装方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：豊栖康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-261925
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085749
出願日： 1999年09月16日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】長時間の使用によっても短絡の起こることのない信頼性の高い窒化物半導体素子の実装方法を提供する。【解決手段】基板上にn型及びp型窒化物半導体層を積層し、p型窒化物半導体層上には概ね全面に拡がる拡散用第1正電極とその上面の一部に形成されたボンディング用第2正電極を備える一方、上記p型窒化物半導体層を除去して露出させた上記n型窒化物半導体層上に負電極を設け、第1正電極及び第2正電極と上記負電極とを無機絶縁層で分離絶縁した窒化物半導体発光素子を、配線用電極上に銀を含有しない接合材料を載置又は形成する工程と、発光素子を、配線基板直上の所定位置に、接合材料を介して正電極と負電極とが配線用電極に対向するように保持する工程と、発光素子を所定位置から下降させ、ペースト状の又は溶融状態とした接合材料を用いて正電極と負電極とを配線用電極に押圧接触せしめて、接続させる工程とからなる実装方法により配線基板に実装する。

請求項（抜粋）：

基板上にn型及びp型窒化物半導体層を積層し、上記p型窒化物半導体層上には概ね全面に拡がる拡散用第1正電極とその上面の一部に形成されたボンディング用第2正電極を備える一方、上記p型窒化物半導体層を除去して露出させた上記n型窒化物半導体層上に負電極を設け、第1正電極及び第2正電極と上記負電極とを無機絶縁層で分離絶縁した窒化物半導体発光素子を、第2正電極及び上記負電極を配線基板上の配線用電極に対向させ導電性材料を用いて接続するフェイスダウン型の窒化物半導体発光素子の実装方法において、上記配線用電極上に銀を含有しない接合材料を載置又は形成する工程と、上記発光素子を、上記配線基板直上の所定位置に、上記接合材料を介して上記正電極と上記負電極とが上記配線用電極に対向するように保持する工程と、上記発光素子を上記所定位置から下降させ、ペースト状の又は溶融状態とした上記接合材料を用いて上記正電極と上記負電極とを上記配線用電極に押圧接触せしめて、接続させる工程とからなる窒化物半導体発光素子の実装方法。

FI (2件)：

H01L 33/00 N , H01L 33/00 C

Fターム (7件)：

5F041AA25 , 5F041AA43 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041DA02 , 5F041DA03 , 5F041DA09

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置および半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-161095 出願人：ソニー株式会社
発光装置及びそれを用いた表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-257205 出願人：日亜化学工業株式会社
反射p電極を有する窒化物半導体発光装置およびその製造方法ならびに半導体光電子装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-345584 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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