特許
J-GLOBAL ID：200903032012573256
表示装置、表示方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
脇 篤夫
, 鈴木 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-040092
公開番号（公開出願番号）：特開2006-227237
出願日： 2005年02月17日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：
【課題】nチャネルTFTによる画素回路において高品質な画像表示を可能とする。【解決手段】画素回路は、有機EL素子、1個の保持容量、サンプリングトランジスタ、ドライブトランジスタ、スイッチングトランジスタ、2個の検知トランジスタからなる5個のNチャネル薄膜トランジスタで構成する。さらに、ドライブトランジスタの閾値電圧変動と有機EL素子の経時劣化を補償する保持容量ブートストラップ機能を備え、電流駆動型の有機EL素子のI-V特性の経時変化やドライブトランジスタの閾値電圧変動を補償する。非発光期間のスイッチングトランジスタと検知トランジスタのオン/オフ制御によって、ドライブトランジスタには、非発光期間と発光期間から成る1発光サイクルにおいて、正バイアスがかかる期間と負バイアスがかかる期間が生ずるようにし、信頼性を向上させる。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
信号線と所要数の走査線が交差する部分に形成される画素回路がマトリクス状に配置されて成る表示装置であって、
各画素回路は、有機エレクトロルミネッセンス素子と、保持容量と、サンプリングトランジスタ、ドライブトランジスタ、第1,第2の検知トランジスタ、及びスイッチングトランジスタからなる5個のnチャネル薄膜トランジスタとを備え、
上記ドライブトランジスタのソースとゲートとの間に上記保持容量が接続され、
上記ドライブトランジスタのソースと所定のカソード電位との間に上記有機エレクトロルミネッセンス素子が接続され、
上記ドライブトランジスタのソースと第1の固定電位との間に上記第1の検知トランジスタが接続され、
上記ドライブトランジスタのゲートと第2の固定電位との間に上記第2の検知トランジスタが接続され、
上記ドライブトランジスタのゲートと上記信号線との間に上記サンプリングトランジスタが接続され、
上記ドライブトランジスタのドレインと所定の電源電位との間に上記スイッチングトランジスタが接続され、
上記サンプリングトランジスタ、上記第1,第2の検知トランジスタ、及び上記スイッチングトランジスタは、それぞれ対応する走査線によって導通制御されるように構成されているとともに、
発光期間と非発光期間とから成る上記有機エレクトロルミネッセンス素子の1発光サイクルにおける上記非発光期間内において、上記スイッチングトランジスタと上記第2の検知トランジスタをそれぞれ所定のタイミングで導通/非導通制御することで、上記ドライブトランジスタに負バイアスをかける期間を得ることを特徴とする表示装置。
IPC (3件)：
G09G 3/30
, G09G 3/20
, H01L 51/50
G09G3/30 K
, G09G3/30 J
, G09G3/20 611H
, G09G3/20 621A
, G09G3/20 624B
, G09G3/20 641D
, G09G3/20 642A
, G09G3/20 670J
, H05B33/14 A
3K007AB02
, 3K007AB11
, 3K007AB17
, 3K007BA06
, 3K007DB03
, 3K007GA00
, 3K007GA04
, 5C080AA06
, 5C080BB05
, 5C080DD03
, 5C080DD05
, 5C080DD27
, 5C080DD29
, 5C080EE28
, 5C080FF11
, 5C080JJ02
, 5C080JJ03
, 5C080JJ04
, 5C080JJ05
出願人引用 (2件)
審査官引用 (7件)
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