特許
J-GLOBAL ID：200903090423831809
表示装置、表示方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
脇 篤夫
, 鈴木 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-040094
公開番号（公開出願番号）：特開2006-227239
出願日： 2005年02月17日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：
【課題】nチャネルTFTによる画素回路において高品質な画像表示を可能とする。【解決手段】画素回路は、有機EL素子、1個の保持容量、サンプリングトランジスタ、ドライブトランジスタ、スイッチングトランジスタ、第1及び第2の検知トランジスタのNチャネル薄膜トランジスタで構成する。この画素回路は、ドライブトランジスタの閾値電圧変動と有機EL素子経時劣化を補償する保持容量ブートストラップ機能を備え、電流駆動型の有機EL素子のI-V特性経時変化やドライブトランジスタ閾値電圧変動を補償する。そしてブートストラップ機能用ドライブトランジスタの閾値検出動作の開始タイミングと終了タイミングを、ドライブトランジスタのドレインと電源電位を接続しているスイッチトランジスタT3のオン/オフで決定する。これによって閾値検出動作期間の差によるグラデーション発生を回避する。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
信号線と所要数の走査線が交差する部分に形成される画素回路がマトリクス状に配置されて成る表示装置であって、
各画素回路は、有機エレクトロルミネッセンス素子と、保持容量と、サンプリングトランジスタ、ドライブトランジスタ、第1,第2の検知トランジスタ、及びスイッチングトランジスタからなる5個のnチャネル薄膜トランジスタとを備え、
上記ドライブトランジスタのソースとゲートとの間に上記保持容量が接続され、
上記ドライブトランジスタのソースと所定のカソード電位との間に上記有機エレクトロルミネッセンス素子が接続され、
上記ドライブトランジスタのソースと第1の固定電位との間に上記第1の検知トランジスタが接続され、
上記ドライブトランジスタのゲートと第2の固定電位との間に上記第2の検知トランジスタが接続され、
上記ドライブトランジスタのゲートと上記信号線との間に上記サンプリングトランジスタが接続され、
上記ドライブトランジスタのドレインと所定の電源電位との間に上記スイッチングトランジスタが接続され、
上記サンプリングトランジスタ、上記第1,第2の検知トランジスタ、及び上記スイッチングトランジスタは、それぞれ対応する走査線によって導通制御されるように構成されているとともに、
発光期間と非発光期間とから成る上記有機エレクトロルミネッセンス素子の1発光サイクルにおける上記非発光期間内に、上記第1,第2の検知トランジスタの導通によって、上記ドライブトランジスタのソース電位が上記第1の固定電位、上記ドライブトランジスタのゲート電位が上記第2の固定電位とされた後、上記スイッチングトランジスタが導通されることで、上記ドライブトランジスタの閾値電圧を検知し、その検知した電位を上記保持容量に保持する閾値検出動作が開始され、また上記スイッチングトランジスタが非導通とされることで、上記閾値検出動作が終了されることを特徴とする表示装置。
IPC (2件)：
FI (9件)：
G09G3/30 K
, G09G3/30 J
, G09G3/20 611A
, G09G3/20 611H
, G09G3/20 621A
, G09G3/20 624B
, G09G3/20 641D
, G09G3/20 642A
, G09G3/20 670J
5C080AA06
, 5C080BB05
, 5C080DD05
, 5C080DD22
, 5C080DD26
, 5C080DD27
, 5C080DD29
, 5C080EE28
, 5C080EE29
, 5C080FF11
, 5C080JJ01
, 5C080JJ02
, 5C080JJ03
, 5C080JJ04
, 5C080JJ05
出願人引用 (2件)
審査官引用 (11件)
全件表示
前のページに戻る
