特許
J-GLOBAL ID：200903084025834504
半導体素子及び半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-177119
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368266
出願日： 2001年06月12日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：
【要約】【課題】 サファイア基板上の窒化物系化合物半導体成長層を素子に分離する際に、素子に生じるクラックを低減することができ、サファイア基板の剥離が簡便で、素子の裏面に電極を効率良く形成することができる半導体素子及び半導体素子の製造方法を提供することを目的とする【解決手段】 サファイア基板上に形成した半導体成長層に、その厚みの中途部までの深さを有する分離溝を反応性イオンエッチング等の処理により形成し、レーザーアブレーションにより半導体成長層をサファイア基板から分離して一時保持用基板に転写した後、半導体成長層の裏面から素子分離溝に至るようにエッチング処理を施して削り半導体成長層を素子毎に分離する。
請求項（抜粋）：
第一基板上に形成した半導体成長層に前記半導体成長層の厚みの中途部までの深さを有する分離溝を形成し、前記半導体成長層を前記第一基板から分離して第二基板に前記半導体成長層を転写した後に、前記半導体成長層を分離した面から前記中途部まで削って前記半導体成長層を素子毎に分離して形成されることを特徴とする半導体素子。
Fターム (5件)：
5F041AA21
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA75
, 5F041CA77
