特許
J-GLOBAL ID:200903032043082498

パッチアンテナ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 深井 敏和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-093191
公開番号(公開出願番号):特開2003-289219
出願日: 2002年03月28日
公開日(公表日): 2003年10月10日
要約:
【要約】【課題】 給電ピンと放射電極および樹脂製の基板との固着部分において、安定した高い固着強度を有するパッチアンテナを提供することである。【解決手段】 一方の面に放射電極2が、他方の面に接地導体3がそれぞれ形成され、さらに前記一方の面から他方の面に向かって貫通する貫通孔7を有する誘電体セラミック基板1を備え、前記貫通孔7に挿入された給電ピン6の一端が前記放射電極2に半田のリフローにて接合されたものであって、前記給電ピン6は、銅以外の成分を5.5重量%以上含有する銅合金からなる母材10の表面にニッケルめっき層11および半田めっき層12がこの順で形成されたものであり、この給電ピン6を前記放射電極2に半田のリフローにて接合した後のニッケルめっき層11の厚みが0.3μm以上のパッチアンテナ9である。
請求項(抜粋):
一方の面に放射電極が、他方の面に接地導体がそれぞれ形成され、さらに前記一方の面から他方の面に向かって貫通する貫通孔を有する誘電体セラミック基板を備え、前記貫通孔に挿入された給電ピンの一端が前記放射電極に半田のリフローにて接合されたパッチアンテナであって、前記給電ピンは、銅以外の成分を5.5重量%以上含有する銅合金からなる母材の表面にニッケルめっき層および半田めっき層がこの順で形成されたものであり、この給電ピンを前記放射電極に半田のリフローにて接合した後のニッケルめっき層の厚みが0.3μm以上であることを特徴とするパッチアンテナ。
IPC (2件):
H01Q 13/08 ,  H01P 11/00
FI (2件):
H01Q 13/08 ,  H01P 11/00 N
Fターム (8件):
5J045AA01 ,  5J045AB02 ,  5J045AB06 ,  5J045AB07 ,  5J045DA10 ,  5J045EA07 ,  5J045HA06 ,  5J045MA04
引用特許:
審査官引用 (9件)
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