特許
J-GLOBAL ID：200903032170814139
トレンチ・キャパシタおよびその形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-214764
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058779
出願日： 1999年07月29日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 半導体集積回路デバイスでの使用に適したトレンチ・キャパシタ構造および前記構造を形成するために使用するプロセス・シーケンスを提供する。【解決手段】 半導体基板100内にトレンチを画定するトレンチ構造であって、トレンチ壁と、トレンチ壁の周囲の半導体基板内にある導電種がドープされたシリコンの埋込みプレート14と、トレンチ壁の一部に沿ったテクスチャ付きシリコン構造18とを含む。このトレンチ・キャパシタは、テクスチャを付けた半球粒状シリコンから成るキャパシタ・プレートを含むことによって向上したキャパシタンスを有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板内にトレンチを画定するトレンチ構造であって、トレンチ壁と、前記トレンチ壁の周囲の前記半導体基板内にある導電種がドープされたシリコンの埋込みプレートと、前記トレンチ壁の一部に沿ったテクスチャ付きシリコン構造とを含み、前記テクスチャ付きシリコン構造の少なくとも一部が前記埋込みプレートと接しているトレンチ構造。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
