特許
J-GLOBAL ID：200903032182261445
ガスクラスターイオンビーム照射装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
作田 康夫
, 井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-343294
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156065
出願日： 2004年11月29日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：
【課題】磁気ディスク記録装置の記録密度向上に伴い、ヘッド浮上量及び加工損傷深さの低減が求められている。しかしながら、従来から用いられている研磨加工やモノマーイオンビームの斜め照射等では、加工損傷深さを1nm程度まで低減するのは困難である。【解決手段】ワークの加工面の法線に対する角度(照射角)を50°以上90°以下に調整するための照射角調整機構と、イオンの運動エネルギーを所望の値に調整するためのイオン加速機構と、ワークの加工面の法線方向を回転軸としてワークを回転させるためのワーク回転機構を有するガスクラスターイオンビーム照射装置を提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
クラスター発生機構、前記クラスター発生機構で発生させたクラスターのイオン化機構、前記イオン化機構でイオン化させたクラスターイオンの加速機構を備えたガスクラスターイオンビーム照射装置であって、ワーク加工面の法線に対する角度(照射角)を50°以上90°以下に調整するための照射角調整機構と、イオンの運動エネルギーを所望の値に調整するためのイオン加速機構と、ワークの加工面の法線方向を回転軸としてワークを回転させるためのワーク回転機構を有するガスクラスターイオンビーム照射装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (11件)：
4K057DA02
, 4K057DA04
, 4K057DB02
, 4K057DB03
, 4K057DD04
, 4K057DG18
, 4K057DM35
, 4K057DN01
, 5C034AA01
, 5C034AA02
, 5C034AB04
