半導体装置の製造方法と半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-255708
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076303
出願日： 2000年08月25日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】プラグ上にキャパシタを形成する際、プラグの破壊を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、(ア)半導体素子を形成した半導体基板上に第1層間絶縁膜を形成する工程と、(イ)前記第1層間絶縁膜中に接続孔を形成する工程と、(ウ)前記接続孔を埋めて、窒化可能な導電体のプラグを形成する工程と、(エ)窒化性雰囲気中で前記半導体基板を加熱し、前記プラグを表面から窒化する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

(ア)半導体素子を形成した半導体基板上に第1層間絶縁膜を形成する工程と、(イ)前記第1層間絶縁膜中に接続孔を形成する工程と、(ウ)前記接続孔を埋めて、窒化可能な導電体のプラグを形成する工程と、(エ)窒化性雰囲気中で前記半導体基板を加熱し、前記プラグを表面から窒化する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (9件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , C23C 16/34 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/105 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (6件)：

C23C 16/34 , H01L 27/10 621 C , H01L 27/04 C , H01L 27/10 444 B , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

Fターム (50件)：

4K030AA06 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030BA17 , 4K030BA40 , 4K030BA42 , 4K030BA59 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 5F001AA17 , 5F001AD33 , 5F038AC05 , 5F038AC09 , 5F038AC10 , 5F038AC15 , 5F038AV06 , 5F038DF05 , 5F038EZ14 , 5F038EZ15 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F083AD24 , 5F083AD48 , 5F083FR01 , 5F083GA24 , 5F083GA27 , 5F083GA30 , 5F083JA02 , 5F083JA06 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA32 , 5F083JA35 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083NA01 , 5F083PR03 , 5F083PR05 , 5F083PR06 , 5F083PR15 , 5F083PR21 , 5F083PR33 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体記憶装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-076071 出願人：三菱電機株式会社
電極配線
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-254071 出願人：株式会社東芝
半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-358082 出願人：株式会社日立製作所

全件表示

前のページに戻る