特許
J-GLOBAL ID：200903032254234561

新規なオニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

, 
大澤 洋一

大澤 洋一 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-248281
公開番号（公開出願番号）：特開2006-063025
出願日： 2004年08月27日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：
【解決手段】 下記一般式(1)で示されることを特徴とするスルホニウム塩。 【化1】(式中、R01は同一又は異種の炭素数1〜12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、カルボニル基、エステル基又はエーテル基を含んでいてもよく、又は炭素数6〜12のアリール基、炭素数7〜20のアラルキル基又はチオフェニル基を表す。pは1又は2である。)【効果】 本発明の酸発生剤(スルホニウム塩)を添加したレジスト材料は、特に解像性に優れ、孤立パターンと密集パターンの寸法差が小さく、かつラインエッジラフネスも小さく、水への溶解性が極めて低いために水中露光(液浸露光)によってもパターン形状の変化が小さいという特徴を有する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示されることを特徴とするスルホニウム塩。
IPC (5件)：
C07C 309/10 ,  C07C 381/12 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027
FI (6件)：
C07C309/10 ,  C07C381/12 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (19件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB32 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB78
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (5件)
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