レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島隆司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-239633
公開番号（公開出願番号）：特開2003-140332
出願日： 2002年08月20日
公開日（公表日）： 2003年05月14日
要約：

【要約】【解決手段】芳香族置換基を含まない高分子構造体であるベース樹脂、酸発生剤及び溶剤を含有してなるレジスト材料において、上記酸発生剤が、パーフルオロアルキルエーテルスルホン酸を発生する酸発生剤を含有することを特徴とするレジスト材料。【効果】本発明の酸発生剤を添加したレジスト材料は、特に解像性に優れ、孤立パターンと密集パターンの寸法差が小さくかつラインエッジラフネスも小さいという特徴を有する。

請求項（抜粋）：

芳香族置換基を含まない高分子構造体であるベース樹脂、酸発生剤及び溶剤を含有してなるレジスト材料において、上記酸発生剤が、パーフルオロアルキルエーテルスルホン酸を発生する酸発生剤を含有することを特徴とするレジスト材料。

IPC (5件)：

G03F 7/004 503 , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , G03F 7/075 511 , H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/004 503 A , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , G03F 7/075 511 , H01L 21/30 502 R

Fターム (15件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB32 , 2H025CC20 , 2H025FA01 , 2H025FA12

引用特許：

審査官引用 (7件)

ポジ型感光性組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-188670 出願人：富士写真フイルム株式会社
ポジ型感光性組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-132546 出願人：富士写真フイルム株式会社
フォトレジストのためのパーフルオロアルキルスルフォン酸化合物
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-579891 出願人：アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド

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