特許
J-GLOBAL ID：200903032391795325
SOIウエーハの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-348610
公開番号（公開出願番号）：特開2004-186226
出願日： 2002年11月29日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：
【課題】SOIウエーハに生じるボイド、特にSOIウエーハ外周部に発生するボイドの発生を抑え、生産性の高いSOIウエーハの製造方法を提供する。【解決手段】原料ウエーハとなる2枚のウエーハのうち、少なくとも一方のウエーハに絶縁層を形成し、他方のウエーハと接着剤を用いずに貼り合わせるSOIウエーハの製造方法において、前記原料ウエーハとしてウエーハ外周部形状が外周10mm〜3mmの範囲で形状変化幅が0.1μm以下であるウエーハを用いるようにした。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
原料ウエーハとなる2枚のウエーハのうち、少なくとも一方のウエーハに絶縁層を形成し、他方のウエーハと接着剤を用いずに貼り合わせるSOIウエーハの製造方法において、前記原料ウエーハとしてウエーハ外周部形状が外周10mm〜3mmの範囲で形状変化幅が0.1μm以下であるウエーハを用いることを特徴とするSOIウエーハの製造方法。
IPC (3件)：
H01L27/12
, H01L21/02
, H01L21/762
H01L27/12 B
, H01L21/02 B
, H01L21/76 D
5F032AA06
, 5F032AA91
, 5F032DA21
, 5F032DA24
, 5F032DA33
, 5F032DA53
, 5F032DA60
, 5F032DA71
, 5F032DA74
