特許
J-GLOBAL ID：200903091281060733
半導体ウェーハの研磨方法およびその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-299924
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326197
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：
【要約】【課題】 ウェーハの外周ダレを抑制し、ウェーハの平坦度の向上が図れる半導体ウェーハの研磨方法およびその装置を提供する。【解決手段】 シリコンウェーハWの外周部の一部を研磨布11の外部にはみ出しながら研磨面を研磨する。この際、ウェーハ外周部はウェーハWが所定角度回動するごとに非研磨領域を通過する。よって、ウェーハ外周部はウェーハ中心部に比べ単位時間当たりの接触面積が減少し、ウェーハ平坦度が高まる。またテンプレート14の研磨布11側の端面と前記研磨面の高さが略揃っている。結果、研磨時の研磨布11のリバウンド量R1が減少し、ウェーハ外周部はその中心部よりも単位面積当たりの圧力が小さくなる。よって、外周ダレを抑えることができる。
請求項（抜粋）：
研磨布の研磨作用面に、研磨液を供給しながら、回転中のテンプレートの内側に保持された半導体ウェーハを押し付けて研磨する半導体ウェーハの研磨方法において、前記テンプレートの研磨布側の端面と半導体ウェーハの研磨面との高さを略揃え、半導体ウェーハの外周部の一部を研磨布の外部に1〜15mmだけはみ出させ、この状態で半導体ウェーハを回転して研磨する半導体ウェーハの研磨方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 621
, H01L 21/304 622
, B24B 37/04
H01L 21/304 621 D
, H01L 21/304 622 G
, B24B 37/04 G
3C058AB04
, 3C058AC04
, 3C058BA02
, 3C058BA07
, 3C058CB01
, 3C058CB02
, 3C058DA17
